TIP35C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 25.0 A
极性 NPN
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 4V
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
外形尺寸
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
封装 TO-218-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 30
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP35C引脚图与封装图
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在线购买TIP35C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP35C | ON Semiconductor 安森美 | 其他芯片高？功率晶体管 Complementary Silicon High?Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号TIP35C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP35C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO218 NPN 100V 25A | 当前型号 | 其他芯片高？功率晶体管 Complementary Silicon High?Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： TIP35CG 品牌： 安森美 封装： TO-218 NPN 100V 25A 125000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR TIP35CG. 射频双极晶体管 | TIP35C和TIP35CG的区别 |
| 型号： BD249C-S 品牌： 伯恩斯 封装： SOT-93 NPN | 功能相似 | SOT-93 NPN 100V 25A | TIP35C和BD249C-S的区别 |
| 型号： BD249CG 品牌： 安森美 封装： SOT-93 NPN | 功能相似 | NPN大功率三极管 NPN High−Power Transistor | TIP35C和BD249CG的区别 |