TIP140中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 30
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
TIP140引脚图与封装图
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在线购买TIP140
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP140 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号TIP140
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP140 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-218 N-Channel 60V 10A 125W | 当前型号 | 达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： TIP140G 品牌： 安森美 封装： TO-218 NPN 60V 10A 125000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP140G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 125 W, 10 A, 500 hFE 新 | TIP140和TIP140G的区别 |
| 型号： TIP141 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Po Darlington | TIP140和TIP141的区别 |