TIP141T
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
TIP141T中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TIP141T引脚图与封装图
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在线购买TIP141T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP141T | Fairchild 飞兆/仙童 | 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors | 搜索库存 |
替代型号TIP141T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP141T 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P | 当前型号 | 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors | 当前型号 |
| 型号： BU406D 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Hiv Sw | TIP141T和BU406D的区别 |
| 型号： BDX67 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 16A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN | TIP141T和BDX67的区别 |
| 型号： MJE13004 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 2W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 4A Ic, 10 - 60 hFE. | TIP141T和MJE13004的区别 |