TFZGTR6.8B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TFZGTR6.8B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 6.8 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-2
外形尺寸
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TFZGTR6.8B引脚图与封装图
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在线购买TFZGTR6.8B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TFZGTR6.8B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | TUMD 6.66V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号TFZGTR6.8B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TFZGTR6.8B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 2-SMD | 当前型号 | TUMD 6.66V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： TFZVTR6.8B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD-323HE | 类似代替 | ROHM TFZVTR6.8B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C 新 | TFZGTR6.8B和TFZVTR6.8B的区别 |