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TFZGTR7.5B

TFZGTR7.5B

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

TFZGTR7.5B 编带

Zener Diode


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TFZGTR7.5B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

测试电流 20 mA

稳压值 7.5 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMD-2

外形尺寸

封装 SMD-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TFZGTR7.5B引脚图与封装图
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