TFZGTR39B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TFZGTR39B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
测试电流 5 mA
稳压值 36.275 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TFZGTR39B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TFZGTR39B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TFZGTR39B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMD | 当前型号 | TUMD 36.275V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： TFZVTR39B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD-323HE | 功能相似 | ROHM TFZVTR39B 单管二极管 齐纳, 39 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C 新 | TFZGTR39B和TFZVTR39B的区别 |