TFZGTR18B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TFZGTR18B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
测试电流 10 mA
稳压值 17.26 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
长度 1.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TFZGTR18B引脚图与封装图
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在线购买TFZGTR18B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TFZGTR18B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 齐纳二极管 500mW，TDZ，TFZG 系列，ROHM ### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号TFZGTR18B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TFZGTR18B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMD | 当前型号 | 齐纳二极管 500mW，TDZ，TFZG 系列，ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： TFZVTR18B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD-323HE | 功能相似 | ROHM TFZVTR18B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C 新 | TFZGTR18B和TFZVTR18B的区别 |