TISP3082F3DR
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
主动器件
TISP3082F3DR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 66.0 V
电容 85 pF
保持电流 150 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
TISP3082F3DR引脚图与封装图
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在线购买TISP3082F3DR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TISP3082F3DR | Bourns J.W. Miller 伯恩斯 | 低电压双的双向晶闸管过电压保护 LOW-VOLTAGE DUAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS | 搜索库存 |
替代型号TISP3082F3DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TISP3082F3DR 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： 8-SOIC 66V | 当前型号 | 低电压双的双向晶闸管过电压保护 LOW-VOLTAGE DUAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS | 当前型号 |
| 型号： TISP3082F3DR-S 品牌： 伯恩斯 封装： SO | 类似代替 | 低电压双的双向晶闸管过电压保护 LOW-VOLTAGE DUAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS | TISP3082F3DR和TISP3082F3DR-S的区别 |