TC58BVG1S3HTAI0

Toshiba 东芝电子元器件分类

BENAND™ SLC NAND 闪存，内置 ECC，ToshibaBENAND™ 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。### BENAND™ SLC NAND 闪存

BENAND™ SLC NAND 闪存，内置 ECC，

BENAND™ 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。

得捷:
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

欧时:
Toshiba TC58BVG1S3HTAI0 2Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 40μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 48引脚

艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 48-Pin TSOP

Verical:
NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I

儒卓力:
**BENAND-Flash 256Mx8 3.3V TSOP48 **

TC58BVG1S3HTAI0中文资料参数规格

技术参数

存取时间 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 12 mm

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

TC58BVG1S3HTAI0引脚图与封装图

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TC58BVG1S3HTAI0	Toshiba 东芝	BENAND™ SLC NAND 闪存，内置 ECC，Toshiba BENAND™ 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。 ### BENAND™ SLC NAND 闪存	搜索库存