TC58BVG0S3HBAI4
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
主动器件
存取时间 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 VFBGA-63
长度 11 mm
宽度 9 mm
封装 VFBGA-63
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba 东芝 | BENAND™ SLC NAND 闪存,内置 ECC,Toshiba BENAND™ 是 SLC (单层单元)NAND 闪存,内置 ECC(错误校正码)。 ### BENAND™ SLC NAND 闪存 | 搜索库存 |