TC58BYG0S3HBAI6
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
主动器件
TC58BYG0S3HBAI6中文资料参数规格
技术参数
供电电流 30 mA
位数 8
存取时间 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 67
封装 VFBGA-67
外形尺寸
封装 VFBGA-67
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TC58BYG0S3HBAI6引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TC58BYG0S3HBAI6 | Toshiba 东芝 | NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67Pin VFBGA | 搜索库存 |