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TD350ETR

IGBT/MOSFET 驱动器

高端 栅极驱动器 IC 非反相 14-SO


欧时:
STMicroelectronics, TD350ETR


得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO


立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:1.5A 拉:2.3A


e络盟:
IGBT, MOSFET驱动器, 高压侧, 高达26 V电源, 2.3 A输出, 620 ns延迟, SOIC-14


艾睿:
Switch on or off your high-power transistors with this TD350ETR power driver from STMicroelectronics. This device has a maximum power dissipation of 500 mW. Its maximum power dissipation is 500 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 5V 2-OUT Hi Side Inv 14-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 5V 2-OUT Hi Side Inv 14-Pin SOIC T/R


Verical:
Driver 5V 2.3A 2-OUT High Side Inv 14-Pin SOIC T/R


儒卓力:
**IGBTDr 1200V SO-14 SMD **


TD350ETR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 130ns, 75ns Max

输出接口数 2

输出电流 10 mA

针脚数 14

耗散功率 0.5 W

静态电流 5 mA

上升时间 175 ns

下降时间 90 ns

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 175 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500 mW

电源电压 12V ~ 26V

电源电压Max 26 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TD350ETR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TD350ETR ST Microelectronics 意法半导体 IGBT/MOSFET 驱动器 搜索库存
替代型号TD350ETR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TD350ETR

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC

当前型号

IGBT/MOSFET 驱动器

当前型号

型号: TD350E

品牌: 意法半导体

封装: SOIC 26V 14Pin

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