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TD350E

STMICROELECTRONICS  TD350E  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

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得捷:
IC GATE DRVR IGBT HIGH-SIDE 14SO


欧时:
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贸泽:
门驱动器 Advanced IGBT/MOSFET driver


艾睿:
Driver 5V 2.3A 2-OUT High Side Inv 14-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 5V 2-OUT Hi Side Inv 14-Pin SOIC T/R


富昌:
TD350 系列 双输出 26 V 高/低压侧 IGBT/MosFet 驱动器 - SOIC-14


Chip1Stop:
Driver 5V 2-OUT High Side Inv 14-Pin SOIC Tube


TME:
Driver; IGBT gate driver, MOSFET gate driver; 1.5A; SO14


Verical:
Driver 5V 2.3A 2-OUT High Side Inv 14-Pin SOIC Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  TD350E  DRIVER, MOSFET, IGBT, 1.5/2.3A, 14SOIC


儒卓力:
**IGBTDr 1200V SO-14 SMD **


TD350E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 26.0V max

上升/下降时间 130ns, 75ns Max

输出接口数 2

输出电流 1.5 A

针脚数 14

耗散功率 500 mW

上升时间 175 ns

下降时间 90 ns

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 175 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500 mW

电源电压 12V ~ 26V

电源电压Max 26 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.75 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

TD350E引脚图与封装图
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在线购买TD350E
型号 制造商 描述 购买
TD350E ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  TD350E  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14 搜索库存
替代型号TD350E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TD350E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC 26V 14Pin

当前型号

STMICROELECTRONICS  TD350E  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14

当前型号

型号: TD350ID

品牌: 意法半导体

封装: SOIC 26V 14Pin

完全替代

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型号: TD350ETR

品牌: 意法半导体

封装: SOIC

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型号: TD350IDT

品牌: 意法半导体

封装: Surface 26V 14Pin

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