TIP141中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
耗散功率 125000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
外形尺寸
封装 TO-218-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP141引脚图与封装图 
TIP141引脚图
TIP141封装图
TIP141封装焊盘图
在线购买TIP141
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP141 | ST Microelectronics 意法半导体 | 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号TIP141
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP141 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-218 80V 10A 125000mW | 当前型号 | 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： TIP141G 品牌： 安森美 封装： TO-218 NPN 80V 10A 125000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP141G. 达林顿双极晶体管 | TIP141和TIP141G的区别 |