TPCP8001-HTE85LFM

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET MOSFET N-Ch 30V 7.2A Rdson=0.016Ω

N-Channel 30V 7.2A Ta 1W Ta, 30W Tc Surface Mount PS-8 2.9x2.4

得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8

贸泽:
MOSFET MOSFET N-Ch 30V 7.2A Rdson=0.016Ohm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.2A 8-Pin PS T/R

TPCP8001-HTE85LFM中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

耗散功率 1.68 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 640pF @10VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.68 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPCP8001-HTE85LFM引脚图与封装图

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