T86C105M050ESAS中文资料参数规格
技术参数
电容 1 μF
等效串联电阻ESR 4.4 Ω
容差 ±20 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 6032
外形尺寸
封装 6032
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
T86C105M050ESAS引脚图与封装图
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在线购买T86C105M050ESAS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| T86C105M050ESAS | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 1uF 50V 20% 2312 | 搜索库存 |
替代型号T86C105M050ESAS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： T86C105M050ESAS 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 2312 | 当前型号 | CAP TANT 1uF 50V 20% 2312 | 当前型号 |
| 型号： 893D105X0050C2TE3 品牌： 威世 封装： 1uF 20per 50V | 类似代替 | VISHAY 893D105X0050C2TE3 表面贴装钽电容, 893D系列, 1 µF, ± 20%, 50 V, 2312 [6032 公制], C | T86C105M050ESAS和893D105X0050C2TE3的区别 |
| 型号： T86C105K050CBAS 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | Cap Tant Solid 1uF 50V C CASE 10% 6 X 3.2 X 2.5mm SMD 6032-28 0.1%FR 4.4Ω 125℃ T/R | T86C105M050ESAS和T86C105K050CBAS的区别 |
