
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 125000 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-218-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TIP145 | ST Microelectronics 意法半导体 | 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TIP145 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-218 PNP -60V -10A 125000mW | 当前型号 | 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | 当前型号 | |
型号: TIP145G 品牌: 安森美 封装: TO-218 Dual P-Channel -60V -10A 125W | 功能相似 | 达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors | TIP145和TIP145G的区别 | |
型号: TIP146 品牌: NTE Electronics 封装: | 功能相似 | t-Pnp Si- Po Darlington | TIP145和TIP146的区别 |