THS4121IDR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
THS4121IDR中文资料参数规格
技术参数
输出电流 100mA @3.3V
供电电流 11 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 64 dB
带宽 100 MHz
转换速率 43.0 V/μs
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 1.2 pA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 100 MHz
耗散功率Max 1020 mW
共模抑制比Min 60dB ~ 75dB
电源电压Max 3.5 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4121IDR引脚图与封装图 
THS4121IDR引脚图
THS4121IDR封装图
THS4121IDR封装焊盘图
在线购买THS4121IDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4121IDR | TI 德州仪器 | 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号THS4121IDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4121IDR 品牌： TI 德州仪器 封装： 8-SOIC 8Pin 43V/us 1Channel | 当前型号 | 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 |
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