THS4503IDG4
TI
德州仪器
主动器件
THS4503IDG4中文资料参数规格
技术参数
供电电流 23 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 74 dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K
带宽 370 MHz
转换速率 2.80 kV/μs
增益频宽积 300 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 4 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 370 MHz
增益带宽 300 MHz
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4503IDG4引脚图与封装图 
THS4503IDG4引脚图
THS4503IDG4封装图
THS4503IDG4封装焊盘图
在线购买THS4503IDG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4503IDG4 | TI 德州仪器 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号THS4503IDG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4503IDG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 300MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 |
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