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TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110NC

通孔 N 通道 600 V 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)


得捷:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P


贸泽:
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P


TK39J60W,S1VQ中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 65 mΩ

耗散功率 270 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4100pF @300VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 270W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK39J60W,S1VQ引脚图与封装图
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在线购买TK39J60W,S1VQ
型号 制造商 描述 购买
TK39J60W,S1VQ Toshiba 东芝 MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110NC 搜索库存