TK39J60W,S1VQ
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 65 mΩ
耗散功率 270 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4100pF @300VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 270W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
高度 20 mm
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK39J60W,S1VQ | Toshiba 东芝 | MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110NC | 搜索库存 |