TK39J60W5,S1VQO

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 沟道 DTMOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET N 通道，TK3x 系列，

### MOSFET ，Toshiba

欧时:
### MOSFET N 沟道 DTMOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN

TK39J60W5,S1VQO中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 270 W

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 4100pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 270 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

TK39J60W5,S1VQO引脚图与封装图

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