TK12A60DSTA4,Q,M

Toshiba 东芝分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3Pin3+Tab TO-220SIS

N-Channel 600V 12A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS

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TK12A60DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK12A60DSTA4,Q,M引脚图与封装图

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