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TK9A60DSTA4,Q,M

TK9A60DSTA4,Q,M

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

TO-220SIS N-CH 600V 9A

通孔 N 通道 600 V 9A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS


TK9A60DSTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 9A

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK9A60DSTA4,Q,M引脚图与封装图
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