TK8A60DASTA4,Q,M

Toshiba 东芝分立器件

TO-220SIS N-CH 600V 7.5A

通孔 N 通道 7.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

TK8A60DASTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.5A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

下降时间 10 ns

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK8A60DASTA4,Q,M引脚图与封装图

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