TLP785GR,FC
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TLP785GR,FC中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.3 V
耗散功率 0.24 W
上升时间 2 µs
隔离电压 5000 Vrms
正向电流 60 mA
击穿电压 5 V
正向电压Max 1.3 V
正向电流Max 60 mA
下降时间 3 µs
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 240 mW
封装参数
引脚数 4
封装 DIP-4
外形尺寸
封装 DIP-4
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TLP785GR,FC引脚图与封装图 
TLP785GR,FC引脚图
TLP785GR,FC封装图
TLP785GR,FC封装焊盘图
在线购买TLP785GR,FC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLP785GR,FC | Toshiba 东芝 | 4-DIP 单向光耦 Viso=5000Vrms VFtyp=1.15V IF=60mA | 搜索库存 |