TK8A55DASTA4,Q,M

Toshiba 东芝分立器件

TO-220SIS N-CH 550V 7.5A

通孔 N 通道 7.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS

贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Win Source:
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS

TK8A55DASTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.07 Ω

极性 N-CH

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 550 V

连续漏极电流Ids 7.5A

输入电容Ciss 800pF @25VVds

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK8A55DASTA4,Q,M引脚图与封装图

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