TK8A50DSTA4,Q,M

Toshiba 东芝分立器件

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220SIS

N-Channel 500V 8A Ta 40W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

贸泽:
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

TK8A50DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 850 mΩ

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 12 ns

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK8A50DSTA4,Q,M引脚图与封装图

TK8A50DSTA4,Q,M引脚图

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TK8A50DSTA4,Q,M	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220SIS	搜索库存