工作电压 18.8 V
击穿电压 20.9 V
钳位电压 30.6 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 20.9 V
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
长度 4.57 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 185℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TPSMB22AHE3/52T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 18.8V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: TPSMB22AHE3/52T 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214AA | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 18.8V 600W 2Pin SMB T/R | 当前型号 | |
型号: P6SMB22A-E3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 18.8V 600W 2Pin SMB T/R | TPSMB22AHE3/52T和P6SMB22A-E3/52的区别 | |
型号: P6SMB22A-M3/5B 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 18.8V 600W 2Pin SMB T/R | TPSMB22AHE3/52T和P6SMB22A-M3/5B的区别 | |
型号: P6SMB22A-M3/52 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 18.8V 600W 2Pin SMB T/R | TPSMB22AHE3/52T和P6SMB22A-M3/52的区别 |