额定电压DC 50.0 V
额定电流 1.20 A
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1.2A
最小电流放大倍数hFE 4000 @1A, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TN6725A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-226 NPN 50V 1.2A 1000mW | 当前型号 | NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor | 当前型号 | |
型号: MPSW06 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-226 80V 500mA | 功能相似 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | TN6725A和MPSW06的区别 | |
型号: 2N6727 品牌: NTE Electronics 封装: PNP | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6727 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 80V, 50MHz, 850mW, 1A, 100 hFE | TN6725A和2N6727的区别 |