TK18E10K3,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

Mosfet n-Ch 100V 18A To-220ab

N-Channel 100V 18A Ta Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

Chip1Stop:
SILICON N-CHANNEL MOS

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

TK18E10K3,S1XS中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 71 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1580pF @10VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK18E10K3,S1XS引脚图与封装图

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