TK2A65DSTA4,Q,M

Toshiba 东芝分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 2A 3Pin3+Tab TO-220SIS

通孔 N 通道 650 V 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS

立创商城:
TK2A65DSTA4,Q,M

得捷:
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

TK2A65DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 380pF @25VVds

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK2A65DSTA4,Q,M引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TK2A65DSTA4,Q,M

型号	制造商	描述	购买
TK2A65DSTA4,Q,M	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH 650V 2A 3Pin3+Tab TO-220SIS	搜索库存