TK35S04K3LT6L1,NQ

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

表面贴装型 N 通道 35A（Ta） 58W（Tc） DPAK+

得捷:
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 3-Pin2+Tab New PW-Mold T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

TK35S04K3LT6L1,NQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 58W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 1370pF @10VVds

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK35S04K3LT6L1,NQ引脚图与封装图

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