TSM120N10PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor(台湾半导体) 电子元器件分类

Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8Pin DFN EP T/R

表面贴装型 N 通道 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin DFN EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin DFN EP T/R

TSM120N10PQ56 RLG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 3902pF @30VVds

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TSM120N10PQ56 RLG引脚图与封装图

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