TLV2422IDRG4
TI
德州仪器
电子元器件分类
TLV2422IDRG4中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤50 mA
供电电流 100 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 52.0 kHz
转换速率 20.0 mV/μs
增益频宽积 52 kHz
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
增益带宽 0.052 MHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 70 dB
电源电压Max 10 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV2422IDRG4引脚图与封装图 
TLV2422IDRG4引脚图
TLV2422IDRG4封装图
TLV2422IDRG4封装焊盘图
在线购买TLV2422IDRG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2422IDRG4 | TI 德州仪器 | OP Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号TLV2422IDRG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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