TLV2422CDR
TI
德州仪器
电子元器件分类
TLV2422CDR中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤50 mA
供电电流 100 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 52.0 kHz
转换速率 20.0 mV/μs
增益频宽积 0.052 MHz
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
增益带宽 52 kHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 70 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV2422CDR引脚图与封装图 
TLV2422CDR封装图
TLV2422CDR封装焊盘图
在线购买TLV2422CDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2422CDR | TI 德州仪器 | OP Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号TLV2422CDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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