TK12E60W,S1VX

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 11.5A 3Pin3+Tab TO-220

N-Channel 600V 11.5A Ta 110W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220

Win Source:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

TK12E60W,S1VX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 890pF @300VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 8.59 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK12E60W,S1VX引脚图与封装图

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