TPC8405TE12L,Q,M
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1240pF @10VVds
额定功率Max 450 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TPC8405TE12L,Q,M | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8Pin SOP T/R | 搜索库存 |