TIP127-BP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TIP127-BP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TIP127-BP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP127-BP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-220 PNP -100V -5A 2000mW | 当前型号 | TO-220 PNP 100V 5A | 当前型号 |
| 型号： TIP32CG 品牌： 安森美 封装： TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE | TIP127-BP和TIP32CG的区别 |
| 型号： TIP137 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 100V 8A 2000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TIP137 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 1000 hFE | TIP127-BP和TIP137的区别 |
| 型号： TIP127G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -5A 2000mW | 功能相似 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | TIP127-BP和TIP127G的区别 |