TPCF8402TE85L,F,M

Toshiba 东芝分立器件

VS N+P 30V 4A

MOSFET - 阵列

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A 8-Pin VS T/R

安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin VS T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin VS T/R

DeviceMart:
MOSFET N+P 30V 3.2A VS-8

TPCF8402TE85L,F,M中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 470pF @10VVds

额定功率Max 330 mW

下降时间 4 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPCF8402TE85L,F,M引脚图与封装图

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