TRD136DT4中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TRD136DT4引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TRD136DT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TRD136DT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252-3 NPN | 当前型号 | TO-252 NPN 400V 3A | 当前型号 |
| 型号： FJD5304DTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 NPN 400V 4A 1.25W | 功能相似 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | TRD136DT4和FJD5304DTF的区别 |