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TCFGB0J107M8R

TCFGB0J107M8R

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 被动器件

100uf 6.3V ±20% 内置保护装置片式钽电容

100 µF 模制 钽器 6.3 V 1411(3528 公制) -


得捷:
CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411


力源芯城:
100uf 6.3V ±20% 内置保护装置片式钽电容


TCFGB0J107M8R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.3 V

电容 100 µF

等效串联电阻ESR 1.5 Ω

容差 ±20 %

产品系列 TCFG

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 3528

外形尺寸

长度 3.50 mm

宽度 2.80 mm

高度 2.10 mm

封装 3528

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TCFGB0J107M8R引脚图与封装图
TCFGB0J107M8R引脚图

TCFGB0J107M8R引脚图

TCFGB0J107M8R封装图

TCFGB0J107M8R封装图

TCFGB0J107M8R封装焊盘图

TCFGB0J107M8R封装焊盘图

在线购买TCFGB0J107M8R
型号 制造商 描述 购买
TCFGB0J107M8R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 100uf 6.3V ±20% 内置保护装置片式钽电容 搜索库存
替代型号TCFGB0J107M8R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TCFGB0J107M8R

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: 1411 100uF 6.3V 20per

当前型号

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封装:

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