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TSM4NB60CP ROG

TSM4NB60CP ROG

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

表面贴装型 N 通道 600 V 4A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252


欧时:
N-Channel MOSFET 600V 4A TO-252


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this TSM4NB60CP ROG power MOSFET from Taiwan Semiconductor. Its maximum power dissipation is 50000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TSM4NB60CP ROG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 500 pF

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

TSM4NB60CP ROG引脚图与封装图
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