TK4P60DAT6RSS-Q

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N-Ch MOS 3.5A 600V 80W 490pF 2.2

表面贴装型 N 通道 600 V 3.5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3

TK4P60DAT6RSS-Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

下降时间 8 ns

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK4P60DAT6RSS-Q引脚图与封装图

TK4P60DAT6RSS-Q引脚图

TK4P60DAT6RSS-Q封装图

TK4P60DAT6RSS-Q封装焊盘图

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TK4P60DAT6RSS-Q	Toshiba 东芝	MOSFET N-Ch MOS 3.5A 600V 80W 490pF 2.2	搜索库存