
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压Max 24 V
电源电压Min 0 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOP-16
封装 SOP-16
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TD62003AFGO,N,EL | Toshiba 东芝 | SOP NPN 50V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TD62003AFGO,N,EL 品牌: Toshiba 东芝 封装: 16-SOIC | 当前型号 | SOP NPN 50V 0.5A | 当前型号 | |
型号: ULQ2004ADRG4 品牌: 德州仪器 封装: 16-SOIC NPN | 类似代替 | 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS | TD62003AFGO,N,EL和ULQ2004ADRG4的区别 | |
型号: ULN2003AIDRG4 品牌: 德州仪器 封装: 16-SOIC NPN | 功能相似 | 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS | TD62003AFGO,N,EL和ULN2003AIDRG4的区别 | |
型号: ULN2003AIDRE4 品牌: 德州仪器 封装: 16-SOIC NPN | 功能相似 | 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY | TD62003AFGO,N,EL和ULN2003AIDRE4的区别 |