TSM2323CX RFG中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.031 Ω
耗散功率 1.25 W
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 1020pF @10VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TSM2323CX RFG引脚图与封装图
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在线购买TSM2323CX RFG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Taiwan Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号TSM2323CX RFG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSM2323CX RFG 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： SOT-23 | 当前型号 | P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor### MOSFET 晶体管，Taiwan Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： TSM2323CX 品牌： 台湾半导体 封装： SOT-23 P-Channel | 完全替代 | TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2323CX 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -400 mV | TSM2323CX RFG和TSM2323CX的区别 |
| 型号： SI2323CDS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TO-236 P-Channel 20V 6A 32mΩ | 功能相似 | P沟道20 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20 V D-S MOSFET | TSM2323CX RFG和SI2323CDS-T1-GE3的区别 |