TS617IDT中文资料参数规格
技术参数
供电电流 13 mA
电路数 2
通道数 2
共模抑制比 45 dB
输入补偿电压 4500 µV
输入偏置电流 30 µA
3dB带宽 300 MHz
增益带宽 45 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-14
外形尺寸
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TS617IDT引脚图与封装图
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在线购买TS617IDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TS617IDT | ST Microelectronics 意法半导体 | OP Amp Dual GP ‚±6.5V/13V 14Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号TS617IDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TS617IDT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO | 当前型号 | OP Amp Dual GP ‚±6.5V/13V 14Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： TS617ID 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | IC OPAMP GP 300MHz 14SO | TS617IDT和TS617ID的区别 |