TSH330IDT
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
TSH330IDT中文资料参数规格
技术参数
供电电流 16.6 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 830 mW
共模抑制比 50 dB
转换速率 1.80 kV/μs
增益频宽积 1.1 GHz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 1.5 GHz
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TSH330IDT引脚图与封装图 
TSH330IDT引脚图
TSH330IDT封装图
TSH330IDT封装焊盘图
在线购买TSH330IDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSH330IDT | ST Microelectronics 意法半导体 | 1.1 GHz的低噪声运算放大器 1.1 GHz Low-Noise Operational Amplifier | 搜索库存 |
替代型号TSH330IDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSH330IDT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 1.8kV/us 1Channel | 当前型号 | 1.1 GHz的低噪声运算放大器 1.1 GHz Low-Noise Operational Amplifier | 当前型号 |
| 型号： TSH330ID 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin | 完全替代 | 1.1 GHz的低噪声运算放大器 1.1 GHz Low-Noise Operational Amplifier | TSH330IDT和TSH330ID的区别 |