TS1851IDT中文资料参数规格
技术参数
输出电流 48mA @5V
供电电流 162 µA
电路数 1
通道数 1
转换速率 180 mV/μs
增益频宽积 0.656 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 16 nA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 0.656 MHz
共模抑制比Min 65 dB
电源电压 1.8V ~ 6V
电源电压Max 6V ~ 9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
高度 1.65 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TS1851IDT引脚图与封装图
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在线购买TS1851IDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TS1851IDT | ST Microelectronics 意法半导体 | **1xOP 530kHz 0,18V/µs SO8 _SMD ** | 搜索库存 |
替代型号TS1851IDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TS1851IDT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 480kHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | **1xOP 530kHz 0,18V/µs SO8 _SMD ** | 当前型号 |
| 型号： TS1851ID 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 250mV/us 1Channel | 功能相似 | Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 480kHz, 0.25V/µs, 1.8V to 6V, SOIC, 8Pins | TS1851IDT和TS1851ID的区别 |