TDZ8V2J,115
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NXP
恩智浦
分立器件
TDZ8V2J,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 8.2 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-323
外形尺寸
宽度 1.25 mm
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 4.7 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TDZ8V2J,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TDZ8V2J,115 | NXP 恩智浦 | SOD-323F 8.2V 0.5W1/2W | 搜索库存 |