TC58NVG2S3ETA00

Toshiba 东芝主动器件

IC 512M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 20 X 12MM, 0.5MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM

**Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.**

艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 30us 48-Pin TSOP-I

安富利:
SLC NAND Flash Serial 3.3V 4Gbit 512M x 8bit 30us 48-Pin TSOP-I

Chip1Stop:
SLC NAND Flash Serial 3.3V 4G-bit 512M x 8 30us 48-Pin TSOP-I

Verical:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 30us 48-Pin TSOP-I

Win Source:
4 GBIT 512M x 8 BIT CMOS NAND E2PROM

TC58NVG2S3ETA00中文资料参数规格

技术参数

供电电流 30 mA

位数 8

存取时间Max 30000 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TC58NVG2S3ETA00引脚图与封装图

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TC58NVG2S3ETA00	Toshiba 东芝	IC 512M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 20 X 12MM, 0.5MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM	搜索库存